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容量が最大32GバイトまでのNAND型フラッシュメモリー
[2008年10月号]THGBM1G8D8EBAI2、ほか
新製品は、43nmのプロセス技術を用いたNAND型フラッシュメモリーチップとコントローラチップを1パッケージに収容したものである。例えば、容量が最大の32Gバイト品「THGBM1G8D8EBAI2」では、32Gビットのメモリーチップを8個を収容している。また、いずれの製品も、上述した2つの規格のうちいずれかに準拠したコントローラを内蔵しているため、書き込みブロック管理やエラー訂正、ドライバソフトウエアなどの制御機能を新たに開発する必要がない。
電源電圧範囲は2.7V~3.6V。JEDEC/MMCA Ver.4.3に準拠した製品は、書き込み速度が最小10メガバイト/秒で、読み出し速度が最小20メガバイト/秒である。SDA Ver.2.0に準拠した製品の書き込み/読み出し速度は、SDAのスピードクラス4に対応している。
連絡先:東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部 ファイルメモリ営業担当、03-3457-3420
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