米Intel社、スイスSTMicroelectronics社（以下、ST社）、および投資会社の米Francisco Partners社の3社による合弁会社として設立されたスイスNumonyx社。この強力な新会社が、NOR型/NAND型フラッシュメモリーをはじめとするメモリー専業ベンダーとして2008年3月末より業務を開始した。

　Numonyx社が主に注力するのは、携帯電話機、データストレージ機器、組み込み機器などの分野である。中でも、組み込み分野については、「エンベデッドビジネスグループ」を設立し、民生用のデジタル家電、パソコン周辺機器、無線通信機器、産業用のロボットやFA（factory automation）機器などへの製品展開を推進する。

　Numonyx社が手掛けるのは、NOR型フラッシュメモリー、NAND型フラッシュメモリー、RAM、相変化メモリー（PCM：phase-change memory）の4分野である。調査会社のデータによると、同社はすでにNOR型フラッシュメモリーでは世界市場でシェア1位、すべての不揮発性メモリー（NVM：non volatile memory）を含むメモリー市場でも世界市場でシェア3位のレベルにあるという。

　Intel社とST社が保有していたメモリー関連の特許を併せると2000件ほどにもなる。Numonyx社バイスプレジデント兼エンベデッドビジネスグループ担当ジェネラルマネジャのGlen Hawk氏（写真）は、「両社の技術を組み合わせることで相乗効果が得られる。また、これまで別々に行っていた研究開発を統合することにより、効率化やコスト削減が図れるというメリットがある」と述べる。

　ただ、NAND型フラッシュメモリーについてはST社の資産のみが受け継がれ、Intel社の技術は対象外となる。この件に関して、Hawk氏は、「Intel社は米Micron Technology社と、ST社は韓国Hynix Semiconductor社とNAND型フラッシュメモリーの開発を進めてきたという経緯がある。それらの技術は独自のものでり、互いに異なるものである。協議の結果、当社はST社の技術を継承することになった」と説明する。

　Numonyx社は、イタリアのアグラーテ、米国のフォルサムとサンタクララの3カ所で研究開発を行い、生産体制としては、前工程と後工程の拠点をそれぞれ3カ所ずつ有している。前工程を行う自前の生産拠点としては、200mmウェーハ対応の「Fab1」（イスラエル）と「Fab2」（シンガポール）、300mmウェーハ対応の「Fab3」（イタリア）およびHynix社とのジョイントファブ（中国）を有している。後工程の拠点としてはフィリピン、マレーシア、中国（上海）に工場を有する。Numonyx社の従業員数は全世界で7000人以上になるという。

　Numonyx社は、すでに65nmプロセスのNOR型フラッシュメモリーの量産を行っている。次世代製品となる45nmプロセスのNOR型フラッシュメモリーについては、「2008年中にもサンプル出荷を開始する予定で、2009年半ばからの量産開始を予定している」（Hawk氏）という。

　65nmプロセスまでのNOR型フラッシュメモリーはIntel社とST社が別々に開発を行ってきたものだが、「45nmプロセスのNOR型フラッシュメモリーは、両社の技術を融合した初の製品になる」（同氏）という。同社は順次、200mmウェーハ対応のFab1およびFab2で45nmプロセスのNOR型フラッシュメモリーの生産を開始し、需要に応じて300mmウェーハ対応の工場で量産を拡大していく計画である。