ルネサス テクノロジは2008年3月、都内でパワーデバイス事業の戦略について説明会を実施。パソコン/サーバー、車載、フラットテレビ（薄型テレビ）などの家電機器の3分野で、パワーMOSFET製品のシェア拡大を目指すとの方針を明らかにした。

　ルネサス テクノロジ 業務執行役員 パワー・電源IC事業部長の志村 勲氏（写真1）は、説明会の冒頭、2007年から2013年までの各種半導体製品のCAGR（年平均成長率）を紹介した。それによれば、半導体全体のCAGRは約5％、フラッシュメモリーは約2％、マイコンは約5％。対して、パワーデバイスは、パソコン/サーバー向けが約11％、車載電装機器向けが約18％、フラットテレビなどの家電機器向けが約5％と、これら3つが高成長分野であるとし、同社が注力する背景を説明した。同社は、2007年度から2011年度のシェアを、パソコン/サーバー向けは10％から20％に、車載向けは5％から10％に、フラットテレビなどの家電製品向けは60％から70％に伸ばすことを目標とする。

　この目標を達成するために、製造工程に関しては、6インチ（150mm）から8インチ（200mm）へと、ウェーハの大口径化を進める。2007年度には、ウェーハ枚数換算で、8インチ品が4万枚/月だったが、2011年度にはこれを7万枚/月まで伸ばす。また、組み立て工程に関しては、標準パッケージ品よりも小型化/設計容易化が可能なパッケージを採用した製品の比率を高める。具体的には、ハイサイド、ローサイドのMOSFETを1つにパッケージングした「WPAK-dual」や、ワイヤーボンディングを行わず直付け式とするワイヤレスパッケージ、ベアチップなどの形態の製品を、2007年の1億2000万個から2011年度には3億個まで増やす。

　設計に関しては、顧客のシステムに対してデバイスの最適化を行うソリューション提供型のアプローチを強化する。これは、パワーデバイスの設計に用いている高精度な効率シミュレーションに顧客のシステム条件を盛り込み、個々のケースに対して最適な条件のデバイスを設計するというもの。また同社は以前からパワーデバイスの設計にDFM（design for manufacturability）の考え方を適用しており、「ここ3年ほど、ミス（マスクの作り直しなどによるTATの長期化）は一切発生していない」（志村氏）という。

（飴本 健）