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新工法で体積を大幅に
削減したPhotoMOSリレー
[2008年01月号]
RF C×R5 SONタイプ
新製品は外形寸法が2.2mm×2.95mm×1.4mmと小さく、応用機器の小型化や高密度実装の要求に応えた。特に高さを抑えるために「基板構造」と呼ぶ新たな工法を用いた。従来のリードフレーム構造では、二重の成形肉厚とリードフレーム厚が必要となっていた。これに対して、基板構造は基板の中にパターンを引くので、基板厚のみで成形が行える。出力端子間の容量は1.1pF(標準値)、オン抵抗は5.5Ω(標準値)といずれも低く抑えている。
連絡先:制御機器本部グローバルマーケティング部、0120-101550











