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世界の半導体市場で勝ち残るために
[2007年05月号]
「日本の半導体産業が世界市場で勝ち抜いていくにはどうしたらよいのか」、「国際競争力を強化するために何をなすべきか」といった会話をよく耳にします。日本の半導体メーカーの世界シェアは、1988年には50%を超えるなど、世界市場を制した時期もありました。しかし、現在は20%程度まで落ち込んでいます。その間に、業界の再編やビジネスモデルの変化など、業界は大きく変貌しました。一方で、世界の半導体市場はITバブル崩壊後の2001年を底に、その後は着実に成長を続けています。
こうした中で、日本の大手半導体メーカーは、フラッシュメモリーに強い東芝や、DRAM専業のエルピーダメモリなどを除き、2006年度(2007年3月期)業績予想も低迷が目立っています。
参考までに2006年10~12月期の主要な半導体メーカーの営業利益率を見ると、韓国Samsung Electronics社は30%を上回っています。エルピーダメモリも約19%(通期では約14%の見込み)と、日本の半導体メーカーの中では圧倒的に高い利益率を確保しています。台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)社は2006年の営業利益率が40%台です。アナログICの事業に特化した企業の中には、これらの数値をはるかに上回るところもあります。これに対し、日本の大手半導体メーカーは数%かそれ以下です。
エルピーダメモリの社長兼CEO(最高責任者)を務める坂本幸雄氏は「営業利益率を20%確保しないと世界の半導体市場で勝ち残れない」と述べています(「pulse」)。日本のDRAM産業を再生した坂本氏の言葉には業界復活にかける強い信念と自信を感じました。坂本氏は日本の半導体産業のさらなる空洞化を防ぐために、設備投資に対する助成金制度の導入など、政府の産業支援策を強く要望していました。
日本の半導体産業をよく知る米国のファブレス大手半導体メーカー首脳は「日本の半導体メーカーはプロセス技術で先行しており、各企業が一致団結してファウンドリ事業を展開すれば、日本は世界市場に向けた半導体の生産拠点となり得る。逆にファブレス企業に転換することでも当社のように事業拡大はできる」と語りました。この発言は、勝ち残るためには決断が必要であるということを示唆しています。
(馬本 隆綱 t.mamoto@reedbusiness.jp)
こうした中で、日本の大手半導体メーカーは、フラッシュメモリーに強い東芝や、DRAM専業のエルピーダメモリなどを除き、2006年度(2007年3月期)業績予想も低迷が目立っています。
参考までに2006年10~12月期の主要な半導体メーカーの営業利益率を見ると、韓国Samsung Electronics社は30%を上回っています。エルピーダメモリも約19%(通期では約14%の見込み)と、日本の半導体メーカーの中では圧倒的に高い利益率を確保しています。台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)社は2006年の営業利益率が40%台です。アナログICの事業に特化した企業の中には、これらの数値をはるかに上回るところもあります。これに対し、日本の大手半導体メーカーは数%かそれ以下です。
エルピーダメモリの社長兼CEO(最高責任者)を務める坂本幸雄氏は「営業利益率を20%確保しないと世界の半導体市場で勝ち残れない」と述べています(「pulse」)。日本のDRAM産業を再生した坂本氏の言葉には業界復活にかける強い信念と自信を感じました。坂本氏は日本の半導体産業のさらなる空洞化を防ぐために、設備投資に対する助成金制度の導入など、政府の産業支援策を強く要望していました。
日本の半導体産業をよく知る米国のファブレス大手半導体メーカー首脳は「日本の半導体メーカーはプロセス技術で先行しており、各企業が一致団結してファウンドリ事業を展開すれば、日本は世界市場に向けた半導体の生産拠点となり得る。逆にファブレス企業に転換することでも当社のように事業拡大はできる」と語りました。この発言は、勝ち残るためには決断が必要であるということを示唆しています。
(馬本 隆綱 t.mamoto@reedbusiness.jp)
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次号予告 2007年6月号
●オーディオICのテスト技術
●オープンバス規格の進化を探る
●ホームネットワーク技術の限界に挑む
●DC-DCコンバータのEMI対策
●コストと柔軟性でSiPを選ぶ
注)タイトルと内容は変更になる場合があります。予めご承知おきください。
●オープンバス規格の進化を探る
●ホームネットワーク技術の限界に挑む
●DC-DCコンバータのEMI対策
●コストと柔軟性でSiPを選ぶ
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EDN Japan 2007年5月号 no.75 ISSN 1346-2148
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