Design Centers メモリー
このページをホームページに登録2008年NEWS一覧
エルピーダが50nmプロセスのDDR3 SDRAMを開発、 データレートは最大2.5Gbps (2008.12.01)
Spansion社が「EcoRAM」の詳細を明らかに、 サーバーのメインメモリー用途を狙う (2008.11.22)
【ET2008】富士通マイクロのFRAM搭載8ビットマイコン、2009年1Qに量産化 (2008.11.20)
フラッシュメモリーの代替となるか？ 不揮発性RRAMの開発を進めるIMEC (2008.11.19)
Numonyx社、組み込み市場向けに65nm NOR型フラッシュ2製品を発表 (2008.11.06)
2008年9月の半導体売上高は前年比1.6％の微増 (2008.11.04)
——SIAの報告から
UMC社、28nmプロセスのSRAM製造に成功 (2008.10.29)
東芝とSanDisk社、NAND型フラッシュの 生産設備の買い取りで覚書を締結 (2008.10.20)
Spansion社、2009年より 43nmのNAND型フラッシュを生産 (2008.10.15)
Micron社、2008年通年の業績は16億米ドルの損失 (2008.10.03)
高速なデータ書き換えが可能な90nm相変化メモリー ——『CEATEC JAPAN 2008』から (2008.10.02)
Cypress社、不揮発性SRAMを統合した 「PSoC」の新ファミリを発表 (2008.09.26)
2008年第2四半期のNAND型フラッシュ メーカーランキング、iSuppli社が発表 (2008.09.19)
Hynix社、200mm工場閉鎖の前倒しで 300mmへの移行を加速 (2008.09.19)
SanDisk社、Samsung社からの58億5000万米ドルでの買収提案を拒否 (2008.09.18)
IBM社、新型メモリー「Racetrack」を 台湾ITRIと共同研究 (2008.09.18)
2008年7月の半導体売上高は前年比7.6％増、 300mmウェーハでの生産量が拡大 (2008.09.05)
Hynix Semiconductor社の 300mmウェーハ対応新工場「M11」が竣工 (2008.09.03)
Qimonda社、PS3向けに「XDR DRAM」の量産を開始 (2008.08.27)
Spansion社、SMIC社との生産委託契約を 43nmフラッシュまで拡大 (2008.08.25)
2008年下半期のNAND型フラッシュ市場は 期待薄、iSuppli社が予測 (2008.08.21)
フラッシュメモリーの技術競争力ランキング、 1位はSanDisk社で、2位はルネサス (2008.08.18)
——アイ・ピー・ビーの調査結果から
Numonyx社とHynix社、NAND型フラッシュの 共同開発を5年間延長 (2008.08.08)
東芝、32GバイトのNAND型フラッシュを発売 (2008.08.08)
Agilent社、Mentor社らがPISMOメンバーに加入 (2008.08.07)
エルピーダ、消費電力が8Gバイト品と同等の 16GバイトFB-DIMMを製品化 (2008.08.07)
2008年第3四半期のDRAM市場が再び下降の兆し、 回復は2009年後半か (2008.08.07)
——iSuppli社の報告から
エルピーダとSVG社、中国蘇州にDRAM合弁会社を 設立することで合意 (2008.08.07)
TDK、UDMA6にも対応したNAND型フラッシュ コントローラICを商品化 (2008.08.06)
車載向けのSPI対応シリアルEEPROM、 125℃で50万回の書き換えが可能 (2008.08.04)
DDR3 RDIMM向けのレジスタ/PLL IC、 1.35Vでの動作が可能 (2008.07.30)
Samsung社とSun社、サーバー向けなどに高耐久性のSSDを共同開発 (2008.07.18)
I2C Fm＋に対応した最大1Mビット容量のEEPROM (2008.07.11)
エルピーダとNumonyx社、 NOR型フラッシュのファウンドリ契約で基本合意 (2008.07.11)
256MビットのFCRAM、省スペースと低消費電力を実現 (2008.06.26)
256Gバイトの2.5インチフラッシュSSD (2008.06.16)
SanDisk社、超低価格パソコン向けのSSDを発表 (2008.06.11)
Freescale社、MRAM事業を分離して新会社を設立 (2008.06.10)
Intel社とMicron社、34nmプロセスによる 32GビットNAND型フラッシュを開発 (2008.06.02)
SRC、次世代NAND型フラッシュの開発に向け インド工科大学およびAMAT社と提携 (2008.05.22)
×32ビット構成の512MビットDDR2 SDRAM、 省スペースと省電力を実現 (2008.05.19)
Hynix社、Grandis社のSTT-RAM技術を導入へ (2008.04.07)
東京工業大学と富士通研究所らが FeRAMの大容量化に向けたメモリー材料を開発 (2008.03.28)
東芝、HD DVD事業からの撤退を発表、 一方でフラッシュ新工場を2カ所に同時建設 (2008.02.20)
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