Design Centers メモリー
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Rambus社が1テラバイト/秒のメモリー帯域幅を 目指した新技術を発表 (2007.12.07)
Samsung社が64GビットのNAND型フラッシュを開発、30nmプロセス/マルチレベルセルで実現 (2007.10.24)
SONOSプロセスで製造した4Mビットの不揮発性SRAM (2007.10.16)
Hynix社とOvonyx社が相変化メモリーの開発で提携 (2007.10.03)
Spansion社の300mmラインが稼働、 65nmプロセスでNOR型フラッシュの量産を開始 (2007.09.20)
2007年下半期のDRAM市場は好転の見込み (2007.08.21)
台湾の半導体設備投資は130億米ドルへ (2007.08.13)
Samsung社の生産ライン6本が、停電で一時休止 (2007.08.06)
記憶容量が1MビットでSPI対応のEEPROM (2007.08.02)
「DRAM市場は2007年第2四半期が底」——iSuppli社の予測から (2007.07.31)
Spansion社がSIMカード向けIC市場に参入、大容量フラッシュを1チップ化 (2007.07.24)
Samsung Electronics社、1.8インチHDD互換の64GバイトSSDの量産を開始 (2007.06.26)
ルネサスが32nm世代SRAMにメド、読み出しマージンを約27％向上 (2007.06.18)
Electronic Newsから： 工場建設費用の巨大化で、提携が進むメモリー業界 (2007.05.18)
自社従来品に比べ 消費電力を最大40％削減、FB-DIMM用のメモリーバッファ (2007.05.11)
周辺機能の内蔵で、 基板スペースとコストの削減が可能なEEPROM製品 (2007.05.02)
3タイプのフラッシュメモリーを1チップに集積、 Spansion社の携帯機器向け新アーキテクチャ (2007.04.17)
Electronic Newsから： Micron社、2007年第2四半期に5200万米ドルの純損失 (2007.04.11)
ST社、外形寸法が 2mm×3mmのシリアルEEPROMのラインアップを拡充 (2007.04.04)
Electronic Newsから： Micron社、中国に半導体製品の組み立て/検査工場を設立へ (2007.03.27)
Electronic Newsから： DRAM、NAND型フラッシュの価格は引き続き下落 (2007.03.23)
Micron社が西脇工場に100億円追加投資、 生産能力の約半分を90nm対応ラインに切り替え (2007.03.20)
Electronic Newsから： Hynix社が「業界最速」のモバイルDDR SDRAMを発表 (2007.03.20)
Micron社がNAND型フラッシュの増産を加速、 シンガポールの300mm工場を6カ月前倒しで稼働 (2007.03.19)
Electronic Newsから： TI社とRamtron社が130nmプロセスのFRAM製造に着手 (2007.03.15)
最大16Mビットのフラッシュメモリーでセキュリティを強化したFPGA (2007.02.27)
Electronics Weeklyから： Samsung社、4Gビット/秒のGDDR4メモリーを実現 (2007.02.27)
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