NECエレクトロニクスと米IBM社は2008年9月、次世代半導体プロセス技術の開発を共同で行うことに合意し、共同開発契約を締結したと発表した。

　IBM社は、次世代シリコン技術の大幅な性能向上や消費電力低減を目指した共同開発アライアンスを主導している。今回の合意に基づき、NECエレクトロニクスは、同アライアンスの8社目の半導体製造会社となり、32nm世代のCMOSプロセス技術の共同開発プロジェクトおよび将来の最先端半導体技術に関する先進的な基礎研究に参加する。

　IBM社の半導体研究開発センターを率いるバイスプレジデントGary Patton氏は、「半導体の微細化が進むに連れて研究開発コストはますます高騰してきている。われわれの半導体研究開発協業モデルは、個々の投資負担を軽減しながら、より複雑な設計に対応し、かつ製品化のスピードを早め、次世代のプロセス材料や要素技術をより早く統合することを目指している」と述べている。

　NECエレクトロニクスは、「2005年11月に東芝と45nm世代のCMOSプロセス技術の共同開発に合意して以来、2007年11月には32nm世代まで共同開発契約を更新するなど、東芝との共同開発で順調な成果を挙げてきた。これに加えて、IBM社および東芝を含む半導体共同開発アライアンスパートナが行っている32nm世代の基幹CMOSプロセス共同開発プロジェクトや先端プロセスの要素技術研究プロジェクトに参加することになる。IBM社およびその研究パートナとともに共通プロセスプラットフォームを開発し、SoC（System on Chip）の開発/設計力を強化していく」と説明している。

　NECエレクトロニクスの代表取締役社長の中島俊雄氏は、「最先端の半導体分野では、各社が基幹プロセスだけで製品の差異化を図ることが難しくなってきている。むしろ、世界の有力な半導体メーカーと共通的なプロセス技術を共同で開発することで、プロセスプラットフォーム構築のコストを分担することが重要になっている。当社は、従来の東芝との共同開発に加え、IBM社との共同開発に直接参加することによって共通的なプロセスプラットフォームを開発し、そのプラットフォームの上で当社独自の付加価値を加えたシステムLSIの製品化を目指す」とコメントしている。

　なお、共同開発は米国ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるIBM社の300mmウェーハ工場および米国ニューヨーク州アルバニーにあるニューヨーク州立大学アルバニー校の研究施設で行われる。