韓国Hynix Semiconductor社は2008年8月、300mmウェーハ対応の新工場「M11」が竣工したと発表した。新工場は同社にとって、韓国の清州（Cheongju）における3番目の工場となる。

　Hynix社は2007年4月より新工場の建設を開始していた。このM11は、韓国清州にある同社の既存製造施設に隣接しており、総敷地面積は10万8697m²、延床面積は29万4637m²となっている。

　同社は、M11において2008年9月中にも月産4万枚規模での生産を開始する予定である。40nm級のプロセス技術を採用した16Gビット/32Gビットのフラッシュメモリーを含む、最先端の高密度NAND型フラッシュメモリー製品の製造を行うという。

　Hynix社の会長兼CEO（最高経営責任者）を務めるJong-kap Kim氏は、「M11が完成したことで、清州事業所を世界一のNAND型フラッシュメモリーの製造施設にしたいと考えている。当社の先端技術と積極的な戦略的アライアンスによって、競争力を維持していく」とコメントしている。

（Electronic News）