スイスNumonyx社と韓国Hynix Semiconductor社は、NAND型フラッシュメモリー分野における共同開発プログラムを5年間延長することで合意した。両社は今回の契約締結により、NAND型フラッシュメモリー製品のラインアップの拡大を図り、今後5年間のうちに新製品や新技術の市場投入を目指すとしている。

　今回の合意を受け、両社はNAND型フラッシュメモリー技術および新たな製品開発に向けて共同開発の取り組み範囲を拡大するほか、次世代のNAND技術やソリューション開発を加速させるためにリソースを結集させるという。さらには、携帯電話機向けのモバイルDRAMなどの共同開発も行うとしている。

　NAND型フラッシュメモリーは、微細化が進むとともにその製造プロセスが複雑化しており、使われる技術も、現在主流のフローティングゲート技術からCTF（charge trap flash）技術に置き換わろうとしている。Numonyx社は、「当社のNOR型フラッシュメモリーの開発実績がそうした技術革新に寄与できると確信している」と主張している。

　また、Numonyx社のソフトウエア技術などを有効活用することで技術開発を促進でき、microSD、eMMC、SSDなど、NAND型フラッシュメモリーの一体型ソリューション市場でのシェア拡大を目指すと両社は説明している。

　両社は、NAND型フラッシュメモリーの共同開発ほかにも、中国の無錫（Wuxi）にある合弁会社において300mmウェーハを使用した低消費電力型モバイルDRAMの共同開発を進めていることを明らかにしている。

（Electronic News）