米OmniVision Technologies社は『CEATEC Japan 2008』において、独自の裏面照射構造を採用したCMOSイメージセンサーを発表した。今回発表したのは、画素数が500万画素（15フレーム/秒）に対応した「OV5642」、および同800万画素（10フレーム/秒）に対応した「OV8810/8812」で、いずれも画素サイズは1.4µmを実現している（写真1、写真2）。

　新製品は、従来のCMOSイメージセンサーで採用されていた表面照射型のFSI（Front-Side Illumination）とは異なり、配線層とシリコン基板が反転したBSI（Back-Side Illumination）技術である「OmniBSI」を採用している（図1）。同構造により、レンズからシリコン基板までの距離を短くすることが可能となり、レンズからの光が効率良くシリコン基板に受光されるようになるという。その結果、感度などの撮像特性が向上するとともに、配線層での光の反射などを防ぐことができ、さらにはモジュールの低背化も可能になった。なお、従来のFSI構造ではレンズ‐シリコン基板間が3µm程度であったのに対して、同社のBSI構造では1µm程度ほどの短距離化を実現しているという。

　同社でプロダクトマーケティングディレクタを務めるGrahame Cooney氏は、「BSIの考え方そのものは決して新しいものではない。しかし、モジュールで用いるためにはウェーハを非常に薄く研磨する必要があり、その扱いが困難であったためにモジュールの量産が難しかった。当社は台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）社と生産委託契約を締結しており、同社との共同開発を進めたことでBSIを採用したCMOSイメージセンサーの量産に成功した」と説明する。