東芝は『CEATEC JAPAN 2008』において、多値技術を採用したNAND型フラッシュメモリーを搭載した256GバイトのSSD（Solid State Drive）を出展した（写真1）。同社はすでに同製品のサンプル出荷しており、2008年第4四半期からの量産開始を予定している。

　今回展示した256GバイトのSSDは、16Gバイト（8段スタック）のNAND型フラッシュメモリーを16個搭載している。高速/並列データ転送および書き込み領域の均等化など、多値技術に対応した独自開発のコントローラを搭載しており、大容量化とともにデータ転送速度の高速化を実現している。読み出し速度は最大120Mバイト/秒、書き込み速度は最大70Mバイト/秒である。

　「SSDの大容量化を図るためには、単に搭載するNAND型フラッシュメモリーを増やせばよいというものではない。メモリーの量が増えることで、データの読み出しや書き込みを高速化するためにコントロ－ラが重要な要素となる。このSSDでは、新たなファームウエアを開発することでそれを克服した」（同社説明員）という。

　なお、同製品に用いられているNAND型フラッシュメモリーの製造には、56nmプロセス技術を採用している。同社は2009年には、さらに微細化した43nmプロセスを採用した製品の市場投入を計画している。「2009年には、43nmプロセスを採用したNAND型フラッシュメモリーを搭載したSSD製品を順次投入するつもりだ。さらに大容量化した512Gバイト品の製品化も予定している」（同社説明員）という。