オムロンは『CEATEC JAPAN 2008』において、ウェーハレベルでMEMS（Micro Erectro Mechanical System）層とLSI層を縦方向に集積するMEMSデバイス製造技術を発表し、試作デバイスを展示した（写真1）。

　MEMSを作り込んだウェーハの上下にLSIを形成したウェーハを重ね合わせて接合し（写真2）、その後ダイシングすることで個片化する。MEMS基板をLSI基板に挟み込むことで、MEMSデバイスを保護するための樹脂モールドが不要となり、パッケージレスによりデバイスの低価格や低背化が図れるという。

　今回発表した技術はNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の「高集積・複合MEMS製造技術開発プロジェクト」の一環として行われているもの。配線形成のための貫通孔は直径10µm、アスペクト比50を実現しており、接合するウェーハ間のアライメント精度は±2µm以下を達成している。今後の目標として、「直径5µmの貫通孔形成、±1µm以下のアライメント精度を目指す」（オムロンの説明員）という。

　オムロンが今回試作したデバイスのMEMS層には実際に加速度センサーが組み込まれている。圧力センサーやフローセンサーなどについても同技術を適用することが可能であり、さらには複数のMEMS層を重ね合わせた多層ウェーハレベル接合などへの応用が期待されるという。「2010年度ごろには実用レベルにもっていきたい」（同社説明員）としている。

（鉄井 亮一）