スイスNumonyx社は『CEATEC JAPAN 2008』において、90nmプロセスで製造した128Mビットの相変化メモリー（PCM：Phase Change Memory）を出展し、同デバイスに対するデータ書き換えのデモを行った。同社は200mmウェーハを用いてPCMを製造しており、すでにサンプル出荷を開始している。

　Numonyx社は、128Mビットの同社製PCMと128Mビットの既存NOR型フラッシュメモリー（米Intel社製）を用いて、画像のリフレッシュに要する時間を比較し、PCMのデータ書き換え時間が大幅に短縮できることをアピールした。

　同社説明員によると、「フラッシュメモリーは、データの書き換えの際にブロック単位の大きなエリアのデータをイレース（消去）してから、新たにデータを書き込む必要がある。そのため処理時間が長くなる。それに対し、PCMではビットごとにデータを上書きすることが可能であり、データの書き換えに要する時間を大幅に短縮することができる」という。

　実際に同社が行っていたデモでは、パソコン上の画像をリフレッシュするのに、NOR型フラッシュメモリーでは1分30秒ほどを要していた。それに対し、PCMでは3秒弱ほどで済み、30倍以上高速なデータ書き込みを実現していた。

　なお、同社はPCMの将来性について、「当面はNOR型フラッシュメモリーの置き換えを目指し、将来的にはNAND型フラッシュメモリーの置き換えも狙う」としている。

（鉄井 亮一）