韓国Samsung Electronics社と米Sun Microsystems社は、耐久性に優れたSSD（solid state drive）向けのSLC（single level cell）NAND型フラッシュメモリーを共同開発したと発表した。両社によると、同メモリーはSLCベースの既存NAND型フラッシュメモリーと比べて5倍のデータ書き込み/消去サイクルを実現できるという。

　Samsung社は、「当社とSun社が共同開発したNAND型フラッシュメモリーをSSDに利用することで、高トランザクション処理を行うサーバーの寿命を延長でき、コンピュータの耐久性を高めるといったことが可能になる」と説明している。

　両社によると、今回開発したNAND型フラッシュメモリーの用途として、ビデオストリーミング、高トランザクションデータ処理、検索エンジンの運用、高速サーバーなどが考えられるという。また、同メモリーは従来のハードディスクドライブと比較して1ワット当たりのデータ転送量が100倍ほどになると見られ、冷却にかかるコストの削減などにより大幅な節電効果が期待されるという。

　Samsung社でメモリーマーケティング担当バイスプレジデントを務めるJim Elliott氏は、「IT管理者は今後、より低消費電力の製品を利用できることになる。今回開発したフラッシュメモリーは、高耐久性と低消費電力化の両方を実現することができる」と述べている。

　一方、Sun社は新技術を同社のサーバーやストレージ製品群に採用する計画だという。同社フラッシュメモリー担当主席技術者であるMichael Cornwell氏は、「今回開発したフラッシュメモリーを搭載したSSDを当社製品に組み込むことで、ハードウエア業界に革新をもたらすことができる」と述べている。

　なお、Samsung社は米IDC社のデータを引用し、「エンタープライズ向けSSDの世界市場は2012年には224万台まで成長することが見込まれている」としている。

（Electronic News）