News Center
Spansion社、イタリアにMirrorBit ORNAND2の
開発拠点を設立
[issued: 2008.04.25]
米Spansion社は、イタリアのアグラーテ・ブリアンツァ(ミラノ)にセキュリティ&先端技術事業部門(SATD:Security and Advanced Technology Division)の本拠地を開設し、「MirrorBit ORNAND2」NAND型フラッシュメモリーのアーキテクチャおよびセキュア製品の開発計画を強化すると発表した。これにより同社は今後、セキュリティを強化した新たなフラッシュメモリー製品の開発やMirrorBit技術の用途拡大を図る。
SATDではまず、SONOS(silicon oxide nitride oxide silicon)ベースのメモリーセルを核とした45nmのMirrorBit ORNAND2製品の開発を目指す。MirrorBit ORNAND2は、フローティングゲート方式のNAND型フラッシュメモリーと比べて高速な書き込み性能を有しており、携帯端末機器への動画の保存/読み出し時の性能を向上できると期待されているという。
Spansion社でエグゼクティブバイスプレジデントを務めるCarla Golla氏は、「SATDでは、MirrorBit ORNAND2やセキュアなメモリーでの技術革新を進めていく。また、欧州の中心に拠点を開設したことで、優秀な技術者を採用できると期待している」とコメントしている。
SATDではまず、SONOS(silicon oxide nitride oxide silicon)ベースのメモリーセルを核とした45nmのMirrorBit ORNAND2製品の開発を目指す。MirrorBit ORNAND2は、フローティングゲート方式のNAND型フラッシュメモリーと比べて高速な書き込み性能を有しており、携帯端末機器への動画の保存/読み出し時の性能を向上できると期待されているという。
Spansion社でエグゼクティブバイスプレジデントを務めるCarla Golla氏は、「SATDでは、MirrorBit ORNAND2やセキュアなメモリーでの技術革新を進めていく。また、欧州の中心に拠点を開設したことで、優秀な技術者を採用できると期待している」とコメントしている。
Sponsor Links
TOP 10 ページ
- 「ムーアの法則」の終わりが近づく?
- NECエレが垂直磁化方式のMRAMを開発、 微細プロセスに適したセル構造を実現
- 「新たなプロセッサコアを2009年後半に投入」 ——ARM社がマルチコアの展開を拡大
- Cypress社の宇宙用途CMOSイメージセンサー、 NEC東芝スペースシステム向けに開発
- 8チャンネルのオーディオD-Aコンバータ、 THDは-93dB
- Soitec社が22nmプロセス向けSOI技術を発表
- 「アナログ設計者の育成と半導体応用技術の 開発に注力」
- コイル一体型のDC/DCコンバータIC、 外形寸法は2.5mm×2.0mm×1.0mm
- パテントトロール問題を受け、新たなIPビジネスが急増
- 4.7μHの巻き線型パワーインダクタ、 直流重畳許容電流値は2.0A










