エルピーダメモリとドイツQimonda社は、DRAMの共同開発に関する技術提携の覚書（MOU）を締結したと発表した。この提携により、エルピーダは最先端のスタックキャパシタ技術を、一方のQimonda社は同社独自の埋め込み型ワード線（buried wordline）技術を相互に提供するという。両社は今後、4F²セルを適用したDRAMの技術開発を加速させ、2010年ごろには同セル技術を40nmプロセス世代の製品に導入し、さらに30nm世代へと拡張する計画だという。

　両社は、製品の相互融通や将来的な合弁工場の可能性を視野に入れ、技術プラットフォーム、設計ルールなども共同で開発するという。両社の拠点である広島とドレスデンのそれぞれに技術者を相互派遣して共同開発を進める計画である。また、両社は40/30nm世代に向けた4F² DRAMの技術開発に加え、TSV（through silicon via）や次世代メモリーについても共同開発の可能性を検討するとしている。