News Center
最優秀InnovatorはIntel社の45nm開発チーム
——第18回 EDN Innovation Awardsの受賞者が決定
[issued: 2008.04.16]
第18回 EDN Innovation Awards 受賞式の様子
同賞は、ユニークかつ最先端の電子製品や、その開発に携わった技術者、EDN誌への最も優れた寄稿記事などを表彰するもの。EDN誌の編集者が最終候補を選定し、ウェブ上に公開された候補の中から、読者投票によって最終的な受賞者を決める。表彰部門はInnovator of the Yearを含め、合計21部門にわたる。各部門の受賞者/受賞製品は表1のようになった。
今回、Intel社の45nmプロセス開発チームがInnovator of the Yearを受賞した理由は、従来シリコンベースで作られていたゲート/ゲート絶縁膜を、それぞれ金属ゲートと酸化ハフニウム(HfO2)に置き換え、その新プロセスを適用した製品で顕著な実績を作ったことだ。Intel社はこれら技術の詳細は公表していないが、同社によると、「ムーアの法則」で知られるGordon Moore氏は、これを「1960年代以降のトランジスタ技術において、最も重要な変革だ」と表現しているという。
2007年11月、Intel社は、これらの新技術を適用した新世代の45nm製品を発表した。前世代よりもトランジスタが小型化され、スイッチングに必要な電力が30%も減少し、性能アップと省電力の両方を実現したという。業界では、パソコン向けプロセッサの中で、同社のクワッドコアプロセッサ「Core 2 Extreme QX9650」が最も高速な製品だと見なされている。
Sponsor Links
TOP 10 ページ
- 「ムーアの法則」の終わりが近づく?
- NECエレが垂直磁化方式のMRAMを開発、 微細プロセスに適したセル構造を実現
- 「新たなプロセッサコアを2009年後半に投入」 ——ARM社がマルチコアの展開を拡大
- Cypress社の宇宙用途CMOSイメージセンサー、 NEC東芝スペースシステム向けに開発
- 8チャンネルのオーディオD-Aコンバータ、 THDは-93dB
- Soitec社が22nmプロセス向けSOI技術を発表
- 「アナログ設計者の育成と半導体応用技術の 開発に注力」
- コイル一体型のDC/DCコンバータIC、 外形寸法は2.5mm×2.0mm×1.0mm
- パテントトロール問題を受け、新たなIPビジネスが急増
- 4.7μHの巻き線型パワーインダクタ、 直流重畳許容電流値は2.0A










