韓国Hynix Semiconductor社と米Grandis社は、Grandis社のメモリー製品向けスピン注入磁化反転方式MRAM（spin-transfer torque RAM、以下STT-RAM）技術の特許および知的財産に関する長期ライセンス契約を締結したと発表した。今回の契約には、Grandis社のSTT-RAM技術をHynix社の次世代メモリー製品に適用することが含まれている。

　両社は、「STT-RAMは、従来型のMRAM技術の限界を克服するために開発された次世代の不揮発性メモリー技術である」とし、既存のメモリー技術では40nm以下のプロセスでの製造が困難であるのに対して、「STT-RAMは優れた拡張性を備え、設計ルールが少なく、より高密度化が可能で、ダイ当たりのコストを低減できる」としている。さらに、「STT-RAMは既存のメモリーと比べて消費電力が少なく、高耐久性で、読み出し/書き込みを高速で行うことができる」（両社）という。

　Hynix社とGrandis社からの技術チームは今後、低書き込み電流や高熱安定性、磁気トンネル接合（magnetic tunnel junctions、以下MTJ）とCMOSプロセスの統合、さらにはSTT-RAMセルやメモリーアレイの設計などを実現するために、MTJの材料や構造を最適化してSTT-RAMの導入を図っていくという。

　Hynix社の研究開発部門で代表を務めるSung Wook Park氏は、「Grandis社との協力関係を通じて、最先端のSTT-RAM技術を半導体製造工程に適用し、先端プロセスによる高性能メモリーを実現したい」とコメント。また、Grandis社CTO（最高技術責任者）のYiming Huai氏は、「STT-RAMは革新的な技術で、SRAM、DRAM、フラッシュメモリーのすべての利点を有し、将来的なプロセス技術への拡張性も備えている」と述べている。

（Electronic News）