東京工業大学と富士通、富士通研究所は2008年3月、次世代FeRAM向けのメモリー材料を開発したと発表した。

　現在、FeRAMにおいてはメモリー材料としてチタン酸ジルコン酸鉛（Pb（Zr,Ti）O₃。以下、PZT）が用いられている。このPZTには、130nm以下の微細プロセス技術では、記憶に必要な電荷量が十分に得られないという課題がある。また、その代替としてより高い電荷量を保持できるビスマスフェライト（BiFeO₃、以下BFO）に期待が集まっているが、PZTと比較して書き換え回数が少ないことやリーク電流が多いという課題があった。

　今回発表されたメモリー材料は、BFOにおける2つの成分の一部を別な物質に置き換えたものである。1つはビスマス（Bi）であり、その一部をサマリウム（Sm）に置き換えた。そのことによって、1000億の繰り返し書き換え回数を達成したという。もう1つは鉄（Fe）であり、その半分をクロム（Cr）に置き換えた。それにより、置き換え以前のBFOと比較して数千分の1、PZTと同等のリーク電流に抑えることができた（図1）。これらの置き換えによって、メモリー材料としてBFOを用いることへの見通しが得られ、90nmや65nmのプロセス技術でも、現行の180nmのプロセス技術を用いたFeRAMと同じ構造を採用することが可能になり、FeRAMの大容量化を実現できるという。