カナダSiGe Semiconductor社は2007年10月、モバイルWiMAX（IEEE 802.16e）に対応した携帯端末機器向けパワーアンプのサンプル出荷を2008年第1四半期から始めると発表した。その2カ月後には、このパワーアンプやフィルタ、スイッチなどを組み込んだRFフロントエンドモジュールのサンプル出荷も行う予定だ。

　モバイルWiMAX対応のパワーアンプでは、出力パワーや直線性、電力効率といった性能が重要になる。SiGe Semiconductor社はシリコンやGaAs（ガリウム砒素）に比べて電導性が高く、チップの温度が上昇するのを抑えられるSiGe（シリコンゲルマニウム）技術を使った。これによって、出力パワーが高く、直線性に優れ、効率が良いパワーアンプを実現した。

　SiGe Semiconductor社のコーポレートビジネス開発最高責任者を務めるJohn Brewer氏（写真）は「現在商品化されている同等品のパワーアンプの効率は最大20％程度だが、当社の新製品は出力が24dBmで効率を25％に高めたものとなる。2008年中には効率を30％まで引き上げたい」と語った。

　同社は、WiMAX対応のパワーアンプ/RFフロントモジュール関連で富士通と協力関係にある。「現在は富士通が開発した固定WiMAX（IEEE 801.16d）対応リファレンスデザインに、当社の製品を採用してもらっているが、今後はモバイルWiMAX対応のリファレンスデザインにもその関係を広げていきたい」（Brewer氏）考えである。

　SiGe Semiconductor社は2000年に創業したファブレス半導体メーカー。パソコンや家庭用ゲーム機器、GPS端末機器など民生電子機器に向けたパワーアンプやRFフロントエンドモジュールを開発/供給する。同社はワイヤレスLAN向けのパワーアンプは、これまで累計2億個を出荷し、世界市場でのシェアは20％を占めるという。直近の12カ月間の同社売上高は5600万米ドルで、前年比40％増と大きく伸ばした。
（馬本 隆綱）