インフィニオンテクノロジーズジャパンは2007年9月、最大ドレイン電流が180Aの車載用パワーMOS FET「IPB180N04S3-02」の量産を開始した。同社の「OptiMOS-T」ファミリに属する耐圧40VのnチャンネルMOS FETであり、最大ドレイン電流が180Aと大きく、25℃におけるオン抵抗が標準で1.1mΩ、最大で1.5mΩと低いことを特徴とする。トランジスタのオン抵抗を下げるだけでなく、パッケージも含めた抵抗成分を下げるために、7端子のパッケージを採用してそのうちの5本を1つのMOS FETのソース端子に割り当てた。また、ボンディングワイヤーとして、直径500μmのアルミワイヤーを採用することで、ワイヤーの抵抗値も下げた。同製品によって、排気量が4l（リットル）を超える大型車にも普及してきた電動パワーステアリングで必要とされる大電流のスイッチングが可能になるという。主に車載用の大電流を取り扱う回路に向ける。パッケージはTO-163で、最大動作温度は175℃。

　同製品はPWM制御時のスイッチング損失を低減するために、最先端のDMOS（double diffused metal oxide semiconductor）トレンチ技術を用いて、ゲート‐ドレイン間容量を470pF（標準値）に最適化している。これによって電力損失を大幅に低減するという。

　また、従来品の160A対応MOS FETを改良した「IPB160N04S3-H2」の量産も開始した。25℃におけるオン抵抗は標準値が1.6mΩ、最大値が2.1mΩ。この値は同社従来品と比較して約30％少ない。