フェアチャイルドセミコンダクタージャパンは2007年6月、コンプリメンタリMOS FET「FDD8424H」を発表した。ドレインを共通ノードに接続したnMOS FETとpMOS FETを各1個集積したもので、nMOSのドレイン‐ソース間最大電圧が40V、最大ドレイン電流が20A、pMOSのドレイン‐ソース間最大電圧が－ 40V、最大ドレイン電流が－20Aである。特にハーフブリッジとフルブリッジのインバータ回路に最適化されており、液晶テレビ/液晶パネルに用いるバックライトユニットやモータードライバ回路、ランプドライバ回路などの用途に向ける。パッケージはDual TO-252で提供され、従来のシングルまたはデュアルのSO-8パッケージと比較して熱抵抗がそれぞれ1/5と1/10と低く、高い放熱性を備えるという。1000個購入時の量産単価は、0.69米ドル。

　FDD8424Hはインバータ回路向けにオン抵抗とゲート容量が最適化されており、スイッチング特性が改善されているという。 nMOSとpMOSそれぞれのオン抵抗は、ゲート電圧が10Vの場合で24mΩ(最大値、ドレイン電流9.0A)と54mΩ(最大値、ドレイン電流－ 6.5A)。それぞれのトータルゲート容量は、20nCと24nC(いずれも最大値)である。