米Intel社とIBM社は、それぞれ45nmプロセス技術におけるハフニウム絶縁膜を利用したチップ製品の生産開始に向けた発表を別々に行った。

　IBM社のシリコンリサーチ部門ディレクターを務めるGhavam Shahidi博士は本誌の取材に対して、「High-k絶縁膜とメタルゲートを利用した300mmウェーハプロセスの開発に1年以上を費やした。 45nmプロセス技術による製品の生産開始を2008年に予定している」と語った。

　同じころ、Intel社により、驚くほど似通った発表が行われた。同社によれば、「われわれは、すでに45nmプロセス技術によるCPU製品を開発済みだ」という。同社は、「当社は45nmプロセスによるCPU製品を15品種以上開発中である」ことも明かした。また、「90nmプロセスでは、SiO2によるゲート絶縁膜を用いると、膜が薄すぎてリーク電流が多くなった。65nmプロセスでは、リーク電流が増大しすぎてSiO2によるゲート絶縁膜は利用できなかった」という。

　45nmプロセスでは、より誘電率の高い物質を用いてゲート酸化膜を厚くすることを可能にした。これにより、リーク電流の増大を防いだ。

　Intel社とIBM社は、ともにハフニウムベースの酸化膜を利用する方法を選択した。IBM社のShahidi氏は、「ハフニウムベースの酸化膜は、ここ数年間、主流技術として開発されてきた」と語った。しかし、技術開発の作業と製品製造の作業は異なるものだ。Intel社の共同設立者である Gordon Moore氏は、「1960年代後半、ポリシリコンゲートを用いたMOSトランジスタが導入されて以降、High-kゲート絶縁膜とメタルゲートはトランジスタ技術における最大の変化だといえる」と語る。

　さらに、ハフニウムベース技術の利用はどのくらいの期間続くのか、という質問に対し、Shahidi氏は「現時点では、この技術は32nmや22nmプロセスでも利用されるだろうと考えている」と語った。

(Electronics Weekly)