ドイツQimonda社は、同社と米Ovonyx社が不揮発性メモリー技術であるPCRAM(Phase Change Random Access Memory：相変化メモリー)を利用した製品開発で長期のクロスライセンス契約を結んだことを明らかにした。製品開発にはPCRAM技術に関する両社の特許/知的財産が使用される。

　また、今回の契約にはQimonda社のPCRAM製品開発プロジェクトをOvonyx社が積極的に支援することも盛り込まれている。

　Ovonyx社のPCRAM技術は、高性能かつ高密度のアレイ構造の半導体メモリーを実現するというものである。PCRAM製品は、フラッシュメモリーやDRAMに置き換わるだけでなく、マイクロコントローラやリコンフィギュラブルMOS回路などの組み込みアプリケーションにも使用できるとされている。

　Qimonda社は、PCRAM製品の研究開発でも実績があり、この技術の重要な知的財産を所有している。現在同社は米IBM社、台湾Macronix International社と共同でPCRAM技術の研究プログラムに参加しており、2006年12月には3社で製品プロトタイプの開発に成功したことを発表している。PCRAM技術を用いたメモリーは、フラッシュメモリーに比べてスイッチング速度が500倍以上となり、データの書き込みに必要な電力は半分以下で済むという。

　Qimonda社の社長兼CEO(最高経営責任者)を務めるKin Wah Loh氏は今回発表の中で、「Ovonyx社のPCRAM技術はフラッシュメモリー/DRAM事業を大きく変える可能性を秘めている。Ovonyx社の支援を得て、当社の新製品開発プロジェクトを強化し、製品化を進めていく」と述べた。


(Electronic News)