News Center
Electronics Weeklyから:
Qimonda社、DRAM製造を75nmプロセスと80nmプロセスに分割
[issued: 2007.01.12]
ドイツInfineon Technologies社のメモリー事業部門を引き継いで2006年5月に分社化、現在は世界第2位のDRAMサプライヤであるドイツQimonda社は、同社の最新プロセス技術を2つのプロセスノードに分割することに決めた。これは、同社のDRAM製品の製造力を最大限に高めるとともに、他の部分の製造コストを最小限に抑えることを目的にしている。
同社の最新プロセスノードは、75nmプロセスと80nmプロセスに分割される。75nmプロセス技術は、サーバー向けのDRAM、DDR3規格対応の DRAM、グラフィックス製品向けのDRAMなどの生産に用いられる。一方の80nmプロセス技術は、主力製品であるパソコン向けDRAMと家電製品向け DRAMのために利用される。
米国ラスベガスで開催中の「CES(Consumer Electronics Show)」に出席したQimanda社のHenry Becker氏(北米支社会長)は、「DRAMが使われる製品の多様化にいち早く対応すべく、当社は当初計画を前倒しして技術開発に着手した」と語った。
パソコン向け以外のDRAM製品について見ると、「2006年第4四半期におけるQuimonda社の市場占有率は50%以上に上る」(Becker氏)という。
Qimonda社は、同社DRAM製品の50%以上を米国の自社工場で生産している。それ以外は、台湾Winbond社と中国SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation)社で生産されている。Qimonda社は、台湾Nanya社との合弁会社である台湾Inotera社を立ち上げた。 Inotera社の工場は、60000枚/月のウェーハ投入量に対応する。
Qimonda社の最先端技術を駆使してDRAM製造を行っている米国バージニア州リッチモンドの同社工場では、稼働率が50%から約75%であり、生産能力を急遽強化する必要はまったくないという。
本誌の「DRAM製品市場が供給過剰に陥った場合、フラッシュメモリー製品も製造しているDRAMトップ企業4社に比べて、Qimanda社は不利ではないか」との質問に対して、Qimanda社のマーケティングとセールス部門で副社長を務めるJan Dierens氏は、「70nm以降のプロセスでは、DRAM製品の製造には専用工場が必要だ。DRAM製品の製造ラインをフラッシュメモリー製品の製造ラインに切り替えることはできない」と返答した。
(Electronics Weekly)
同社の最新プロセスノードは、75nmプロセスと80nmプロセスに分割される。75nmプロセス技術は、サーバー向けのDRAM、DDR3規格対応の DRAM、グラフィックス製品向けのDRAMなどの生産に用いられる。一方の80nmプロセス技術は、主力製品であるパソコン向けDRAMと家電製品向け DRAMのために利用される。
米国ラスベガスで開催中の「CES(Consumer Electronics Show)」に出席したQimanda社のHenry Becker氏(北米支社会長)は、「DRAMが使われる製品の多様化にいち早く対応すべく、当社は当初計画を前倒しして技術開発に着手した」と語った。
パソコン向け以外のDRAM製品について見ると、「2006年第4四半期におけるQuimonda社の市場占有率は50%以上に上る」(Becker氏)という。
Qimonda社は、同社DRAM製品の50%以上を米国の自社工場で生産している。それ以外は、台湾Winbond社と中国SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation)社で生産されている。Qimonda社は、台湾Nanya社との合弁会社である台湾Inotera社を立ち上げた。 Inotera社の工場は、60000枚/月のウェーハ投入量に対応する。
Qimonda社の最先端技術を駆使してDRAM製造を行っている米国バージニア州リッチモンドの同社工場では、稼働率が50%から約75%であり、生産能力を急遽強化する必要はまったくないという。
本誌の「DRAM製品市場が供給過剰に陥った場合、フラッシュメモリー製品も製造しているDRAMトップ企業4社に比べて、Qimanda社は不利ではないか」との質問に対して、Qimanda社のマーケティングとセールス部門で副社長を務めるJan Dierens氏は、「70nm以降のプロセスでは、DRAM製品の製造には専用工場が必要だ。DRAM製品の製造ラインをフラッシュメモリー製品の製造ラインに切り替えることはできない」と返答した。
(Electronics Weekly)
Sponsor Links
TOP 10 ページ
- 「ムーアの法則」の終わりが近づく?
- NECエレが垂直磁化方式のMRAMを開発、 微細プロセスに適したセル構造を実現
- 「新たなプロセッサコアを2009年後半に投入」 ——ARM社がマルチコアの展開を拡大
- Cypress社の宇宙用途CMOSイメージセンサー、 NEC東芝スペースシステム向けに開発
- 8チャンネルのオーディオD-Aコンバータ、 THDは-93dB
- Soitec社が22nmプロセス向けSOI技術を発表
- 「アナログ設計者の育成と半導体応用技術の 開発に注力」
- コイル一体型のDC/DCコンバータIC、 外形寸法は2.5mm×2.0mm×1.0mm
- パテントトロール問題を受け、新たなIPビジネスが急増
- 4.7μHの巻き線型パワーインダクタ、 直流重畳許容電流値は2.0A










