SICAS統計(Semiconductor International Capacity Statistics：世界半導体生産キャパシティ統計)は、2006年第3四半期(7～9月。以下、3Q)のMOS IC生産能力と生産稼働率をまとめた。MOS ICの生産能力(8インチウェーハ換算)は、2006年第2四半期(以下、2Q)に比べ4.2％増加して、173万400枚/週となった。前年同期に比べると3Qは16.7％の増加となる。特に、最先端の0.12μm未満のプロセスが2Qに比べ17.1％増と大きく伸び、全体の伸び率を押し上げた。一方、生産設備の稼働率は89.1％で、2Qに比べ2.7ポイント下がった。稼働率が90％を切るのは2005年2Q以来、1年ぶりとなる。
　MOS ICの生産能力を加工精度別に見ると、0.7μm以上、0.3μm以上0.4μm未満、0.16μm以上0.2μm未満の生産能力が減少したのに対し、 0.12μm未満は17.1％増の63万4700枚/週と大幅に増えるなど、最先端プロセスの生産能力は拡大し続けていることが分かる。0.4μm以上 0.7μm未満や0.2μm以上0.3μm未満も、それぞれ2.5％、3.4％増加した。
　MOS ICの生産稼働率は0.3μm以上0.4m未満のみが83.4％で2Qに比べ1.0ポイント上昇した。最先端の0.12μm未満も2Qに比べ2.6ポイント減少したが、稼働率は94.3％と、90％台を維持している。
　MOS ICに占めるファウンダリウェーハの生産能力は、2Qに比べ3.2％増加し、28万9400枚/週となった。生産稼働率は2.8ポイント下がり91.5％となった。
　12インチ(300mm)ウェーハの生産能力は2Qに比べ17.8％増の21万3600枚/週と大きく伸びたが、生産稼働率は87.9％で2Qに対し8.8ポイント減少した。
　SICASは世界の主要半導体メーカー41社が参加する組織で、1994年から活動している。