米Intel社と米Micron Technology社は、シンガポールにNAND型フラッシュメモリーの製造工場を合弁で建設する計画があると発表した。両社は、2006年1月に合弁会社として米IM Flash Technologies社を設立することを発表している。シンガポールの工場は、両社が共同でフラッシュメモリーを生産する第4番目の工場となる。

　合弁会社によるメモリー生産に関しては、既に300mmウエーハ製品を製造中の米バージニア州のマナサス工場や2007年初頭に同じく300mmウエーハ製品の生産が開始される現在建築中の米ユタ州リーハイ工場があり、さらにMicron社の米アイダホ州ボイジー工場でもフラッシュメモリー製品の製造が行なわれている。

　両社の発表では、「シンガポールの工場は2007年上半期に着工し、製品製造の開始は2008年下半期を予定している。ここでは微細加工技術を用いた50nm世代の300mmウエーハ製品の製造を行う」という。

　Micron社の会長兼CEO(最高経営責任者)兼社長のSteve Appleton氏は、「当社は長い間シンガポールの工場で製品の製造を行ってきた実績がある。そのため、今回のIntel社との合弁工場の建設はある意味当然の成り行きともいえるし、それにより当社のシンガポールでの事業拡張にも役立つ」と述べた。

　また、Intel社のフラッシュメモリー部門バイスプレジデント兼ゼネラルマネジャのBrian Harrison氏は、「IM Flash Technologies社は短期間で確実に成長を遂げており、シンガポールの工場を加えることで、NAND型フラッシュメモリーのトップメーカにIM Flash Technologies社が名を連ねることを目標としている。今後は1年に1工場の設置を目標に、300mmウエーハ製品製造施設の増強を目指す」と語った。

　両社によれば、「シンガポールの工場には数十億米ドルを投じている。工場がフル稼働すればシンガポールでは最大規模のNAND型フラッシュメモリー製造工場になる」という。なお、今回の工場建設にかかわる投資額の詳細は明らかにされていない。

(Electronic News)