東芝とNECエレクトロニクスは、45nm世代のCMOSロジックプロセス技術を共同開発することで合意した。両社では今回のプロセス技術の共同開発をベースに、設計環境や製品開発、生産面での協力など、半導体事業における包括的な提携関係の構築も検討を始めた。
　45nm世代のプロセス技術は2010年ごろにもシステムLSIの量産に適用されると見られている。両社は先端の基幹プロセス技術を共同開発することによって、巨大化する開発費用の負担を軽減し、開発スピードも速めていく。
　共同開発するテーマなど詳細については2005年内にも固める予定だが、両社の関連する技術者は横浜市にある東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンターに集結し、共同開発に乗り出す。開発したプロセス技術は両社が持ち帰り、それぞれの生産拠点に展開する。また、基幹プロセス以外の混載技術などは両社で協議し、取り扱いを決めていく。
　東芝は90nmプロセス技術によるLSI量産で先行し、NECエレクトロニクスはシステムLSIに組み込むIPコアの品揃えなどで優位性があるという。両社はそれぞれの強みを活かしながら、新たに提携関係を構築することで、デジタルコンスーマ機器や携帯機器などの用途に向けたシステムLSIの開発効率や投資効率を高めていく。