フェアチャイルドセミコンダクタージャパンは、コンプリメンタリMOS FET「FDD8424H」を発表した。ドレインを共通ノードに接続したnMOS FETとpMOS FETを各1個集積したもので、nMOSのドレイン‐ソース間最大電圧が40Vで最大ドレイン電流が20A、pMOSのドレイン‐ソース間最大電圧が－40Vで最大ドレイン電流が－20Aである。特にハーフブリッジとフルブリッジのインバータ回路向けにオン抵抗とゲート容量を最適化したことで、スイッチング特性が改善されているという。液晶テレビ/液晶パネルに用いるバックライトユニットやモータードライバ回路、ランプドライバ回路などの用途に適している。

　パッケージはDual TO-252で、従来のシングルまたはデュアルのSO-8パッケージと比較して熱抵抗がそれぞれ1/5と1/10と低い。量産単価は1000個購入時で0.69米ドル。

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