米Micron Technology社は、先端NAND型フラッシュメモリーの量産を計画しているシンガポール工場の稼働時期を予定より6カ月早め、2008年下期から量産に入る。さらに、NAND型フラッシュメモリー市場で、現在の世界シェアは5％未満だが、これを2008年末までに10％台まで引き上げていく計画である。NAND開発担当のバイスプレジデントを務めるFrankie Roohparvar氏が2007年3月、東京都内で会見して明らかにした。

　同社は、米Intel社とフラッシュメモリーの製造合弁会社「IM Flash Technologies（IMFT）」を2006年1月に設立した。IMFT社は米国アイダホ州ボイジーの工場での量産に続いて、米国バージニア州マナサスでも2006年下期から新ラインで生産を始めた。また米国ユタ州リーハイの工場では2007年第1四半期に新ラインが稼働した。さらに、シンガポールの工場では300mmウェーハと50nmおよびそれ以下のプロセス技術を使い、2008年下期からNAND型フラッシュメモリーの生産を始める予定だ。シンガポールの工場は2009年上期に生産を始める計画だったが、「プロセス技術の開発が順調に進んだ」（Roohparvar氏）こともあって、稼働時期を当初の予定より6カ月前倒しすることになった。

　さらに同氏は「NAND型フラッシュメモリーの価格が下落し、生産品目をDRAMに切り替えている半導体メーカーもあるが、当社は長期的に見てNAND型フラッシュメモリーがメモリー市場で主流になると思っている。状況によっては当社も生産品目を切り替えるが、当面はIntel社とともにNAND型フラッシュメモリーの生産能力の増強を進めていく」との考え方を示した。

　このような生産能力の増強によって、同社のNAND型フラッシュメモリーの供給量はビット数換算で現在50％ずつ上昇しているという。「明確なシェアは算出できないが、Micron社単独でNAND型フラッシュメモリー市場のシェアはまだ5％未満にとどまっている。2008年末までには10％台のシェアを獲得したい」（同氏）と述べた。

　同社が事業拡大を見込む背景には、携帯電話機など携帯機器市場におけるNAND型フラッシュメモリーの需要拡大がある。調査会社によると携帯機器向けのメモリー市場は今後も拡大を続けるが、特にNAND型フラッシュメモリーは2005年から2011年までの年平均成長率が53％と大きな伸びが見込まれている。「2010～2011年にはすべてのNAND型フラッシュメモリーのうち45％は携帯機器に搭載されるだろう」と同社は予測している。

　同社は2006年半ばには50nmプロセス技術を使って4Gビット品を開発してサンプル出荷を始めた。これまでに、50nmプロセスを使った1G～8GビットのNAND型フラッシュメモリーを発表している。まだ具体的には明らかにできないと前置きした上だが、「さらなる大容量品も2007年中には製品化することを考えている」（同氏）ようだ。

　また、将来の携帯機器向けに同社が注力しているのがMMC（multi media card）インターフェースを内蔵したフラッシュメモリーだ。一般的なNAND型フラッシュメモリーは外部のコントローラでデータの書き込みや読み出しを制御する。これに対して、MMC内蔵のフラッシュメモリーは、USBメモリーなどと同様に、ホスト側から書き込みや読み出しのコマンドを送るだけで済むのが特徴で、携帯機器メーカーはチップをどこのメーカーが製造しているかを意識せずに使える。すでに同社は90nmプロセスで生産しているNAND型フラッシュメモリーを用いたMMC内蔵製品を供給しているが、2007年中には50nmプロセスで生産したNAND型フラッシュメモリー製品も発売する計画である。

　同社は2006年に米Lexar Media社を買収した。Lexar Media社はUSBメモリーや各種メモリーカードなどを手掛けている。NAND型フラッシュメモリーを活用するメモリーカードの企業を買収することで、最終消費者に近いところでビジネスを展開する体制を構築し、垂直統合型のビジネスモデルを実現する。

（馬本 隆綱）