2006.7

TSMC社とChartered社が それぞれ65nmプロセスでLSIの量産を開始

図1　左から、TSMCジャパン代表取締役社長の小野寺 誠氏、台湾TSMC社の社長兼CEOのRick Tsai氏、TSMCジャパン代表取締役会長の馬場 久雄氏 　TSMCジャパンは、台湾TSMC社が65nmの半導体製造プロセスによる量産を正式に開始したと発表した。同プロセスは銅配線と低誘電率（Low-k）層間絶縁膜を採用し、配線は9層まで積層可能。コア部分の電源電圧は1.0V/1.2V、I/O部分の電源電圧は1.8V/2.5V/3.3Vに対応する。300mmウェーハを使用し、標準セルライブラリであれば、同社90nmプロセスの2倍のゲート密度が実現できるという。顧客企業は、同社またはサードパーティ製の検証済みライブラリ/IP/EDAツールの利用が可能なほか、同社の「TSMC リファレンス・フロー6.0」にのっとった設計手法に対するサポートが受けられる。 　併せて同社は、同プロセスに対応した新サービスとして、「65nm DFM準拠デザイン・サポート・エコシステム」を発表した。これは、DFM（design for manufacturing）に準拠したツールであれば、その種別や提供ベンダーを問わず、同プロセスの製造データを利用できるようにするというもの。例えば、DFMに準拠したEDAツールを使用している設計者は、自分のデスクトップ環境上で同プロセスの製造データを活用して設計を行うことが可能になる。TSMCは、EDAツールのDFM準拠認定を行うために、米Cadence Design Systems社、Mentor Graphics社、Synopsys社など、8社と協業を行っている。 　今回の発表会見に出席したTSMC社の社長兼CEO（最高経営責任者）のRick Tsai氏は、「2006年に予定している約3000億円の投資のほとんどが90nm/65nmプロセスに向けられている」ことを明かした。今後は、45nm/35nmプロセスの研究開発への投資を増やしていくという。 　また、シンガポールの半導体ファウンドリ企業であるChartered Semiconductor Manufacturing社は、2006年後半から65nmプロセス技術を使ったLSIの量産に入る。近く独Infineon Technologies社の携帯電話機向けベースバンドLSIの生産を始める。2007年には米Microsoft社のゲーム機「Xbox 360」向けプロセッサを、65nmのSOI技術で量産する予定である。また、米Texas Instruments社ともすでに65nmプロセス技術を使った受託生産契約を結んでいる。 図2　Chartered社のKevin Meyer氏 　Chartered社のワールドワイド・マーケティング＆プラットフォーム・アライアンス担当副社長のKevin Meyer氏が来日し、共通プラットフォームの優位性などについて述べた。Chartered社の特徴は、90nm/65nmなど先端プロセスの技術開発で米IBM社などと協業し、プロセスと設計環境を共通プラットフォーム化している点だ。Meyer氏は「共通のルールで設計したLSIは、複数のファブを活用して製造できる」というメリットを強調した。 　共通のプラットフォームを構築するため、世界的に有力な半導体メーカーとテクノロジアライアンスを結んでいる。例えば、デジタルCMOS技術はIBM社、韓国Samsung社およびInfineon社と共同開発した。また、SOI技術はIBM社と米AMD社の3社でプロセスの共通化を図っている。すでに、90nmのSOI技術を使い、ゲーム用プロセッサの量産を始めている。2006年中にはAMD社のプロセッサも90nmで生産を始める予定だ。さらに、IBM社とは、SOIの65nm技術によるゲーム用プロセッサの受託生産でも合意している。 　Samsung社やIBM社とは、45nmのプロセスプラットフォームでも共通化を目指している。これによって、同社の顧客は1度設計したLSIを、3社のファブであればどこにでも再設計することなく生産委託することが可能となる。また、先端LSIの設計コストが急激に高まる中で、IBM社は共通プラットフォームをベースに、90nmや65nmプロセスに関してデザインサポートとサービスを顧客に提供する。 　Chartered社の2006年第1四半期の売上高は1億9300万米ドルとなった。プロセス別の構成比は、90nmプロセスと65nmプロセスを使ったビジネスがそれぞれ全体の25％を占めるなど、両先端プロセスによる製造が前の四半期に比べ2ポイント上昇し半分に達した。 （飴本 健、馬本 隆綱） Advertisement