2006.4

MOS FETを4つ内蔵したPoE向けモジュール

インターナショナル・レクティファイアー・ジャパンは、4個のMOS FETを内蔵したモジュール「IRF4000」のサンプル出荷を開始した。PoEの電力スイッチに向ける。パッケージは10mm×5mm×1.85mmのパワーMLP。SOT-223パッケージの4つのMOS FETを実装する場合と比較して、実装面積を80％削減できる。 　PoEの電力供給条件を定める標準仕様IEEE802.3afおよび、より大電力の供給を対象とした仕様、PoE Plusに準拠する。定格電圧は100Vで、最大ドレイン電流は2.4A。オン抵抗は、ゲート‐ソース間が12Vの時に最大270mΩ、10Vの時に最大350mΩ。最大漏れ電流は1.5μA。パッケージの熱抵抗は約1℃/Wで、ドレイン端子までの熱抵抗は最大1.5℃/W。サンプル価格は550円。 連絡先：IRジャパン、03-3983-0837 Advertisement