2006.3

耐圧5VのCMOSプロセス対応、 LCDドライバ向け不揮発性組み込みメモリーIP

図1　Self-Adaptive Silicon動作原理(クリックで拡大) 　米Impinj社は、耐圧が5VのCMOSプロセスに対応し、LCDドライバに直接組み込める不揮発性メモリーIP「AEON/HV」のライセンス供与を開始した。15インチ型以下の中・小型液晶パネル用LCDドライバをターゲットにする。ガンマ補正値やVCOM設定値の記録などを行う。データの書き換え回数は1000回で、10年間のデータ保持を保証する。 　これまで、高耐圧のドライバICでは外付けのEEPROMを使用する必要があった。AEON/HVは、独自の「Self-Adaptive Silicon」技術を使うことで、MTP（multi time programmable）不揮発性メモリーをLSIに組み込むことができる。Self-Adaptive Silicon技術では、1対のpFET（電界効果型トランジスタ）を使う。1つがフローティングゲートの読み出し用で、もう1つが書き込み・消去用。フローティングゲートから電子を引き抜く際にはFN（Fowler-Nordheim）トンネリング効果を利用し、安定した動作を実現する（図1）。 　フラッシュメモリーやEEPROMのように、コントロールゲートを使い、フローティングゲートに電子を注入したり、引き抜いたりする従来の方法では、pFETの閾（しきい）値電圧を双方向（プラスとマイナス）に大きくシフトさせてしまい、安定しないという問題があった。「フローティングゲートで高耐圧に対応できるものは、Self-Adaptive Siliconだけだ」（同社）という。 　LSIに組み込めることで、中小型の液晶パネルに使う基板スペースを削減できる。また、外付けのEEPROMが不要なため、コスト削減にもつながるという。製造は、台湾UMC社の180nm CMOSプロセス。使用可能温度範囲は−40℃〜95℃。1ワードあたりの書き込み時間は1ms、読み出し時間は0.3μs。回路面積は2kビット品が0.58mm2、4kビット品が0.87mm2。 （伊藤 達哉） 連絡先：Impinj 日本支社、045-476-5736 Advertisement