2006.3

1GビットORNAND型フラッシュ、携帯電話機向け

米Spansion LCC社は、容量が1Gビットの「ORNAND」型フラッシュ・メモリーを開発した。携帯電話機のデータ格納用に向ける。現在サンプル出荷中で、2006年3月から量産出荷を開始する。ORNAND型は「NOR型の高速性をNAND型と同等のコストで実現する」という。製造プロセスは90nmで、同社独自のMirrorBit技術を採用した。MirrorBit技術では、シリコン基板とゲート間に非導電体のシリコンナイトライド（SiN）層を記憶媒体層として使用する。セルを物理的に分離し、1セルあたり2ビットのデータを蓄積する。 　読み出し速度はNANDより速く、書き込み速度はNORより速い。ダイサイズは82mm2。1.8Vで駆動する。価格は個別に対応するが、90nmプロセスで製造したNAND型と比べても十分に競争力があるレベルという。 連絡先：電子デバイス事業本部 システムメモリ統括部 販売推進部、03-5322-3324 Advertisement