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図3　BEFP方式とバッファー書き込み方式によるフラッシュ・メモリーへの書き込み時間

米インテル社の多値フラッシュ・メモリー「28F128K3C」を使用した。書き込み装置（デバイス・プログラマー）は（a）が米ビーピー・マイクロシステムズ社、（b）が米データ・アイ・オー社、（c）が米システム・ジェネラル社の製品である。