Business Centers 半導体製造
このページをホームページに登録半導体製造 2008年記事一覧
IBMが45nm SOIのファウンドリサービスを開始、 ARM社がIPライブラリを提供 (2008.11.12)
富士通マイクロとD2S社ら、 65nm以降の電子ビーム直描技術で協業 (2008.11.06)
UMC社、28nmプロセスのSRAM製造に成功 (2008.10.29)
半導体製造装置の需要回復は2010年以降との見方、景況悪化が追い討ちに (2008.10.10)
——Gartner Dataquest社の報告より
Micron社は“特売価格”でQimonda社を買収か？ (2008.09.30)
——アナリストが予測
ローム、外形寸法が0.8mm×0.5mm×0.35mmの トランジスタパッケージを開発 (2008.09.29)
ルネサス、ドイツの前工程工場を 地元ファウンドリへ売却検討 (2008.09.25)
NECエレとIBM社、次世代半導体プロセス技術の 共同開発契約を締結 (2008.09.12)
2008年第2四半期の半導体製造装置出荷額、 前年比29％減と大幅に縮小 (2008.09.12)
2008年7月の半導体売上高は前年比7.6％増、 300mmウェーハでの生産量が拡大 (2008.09.05)
Hynix Semiconductor社の 300mmウェーハ対応新工場「M11」が竣工 (2008.09.03)
Lam Research社、台湾に半導体製造の トレーニングセンターを開設 (2008.08.29)
IBM社、カーボンナノチューブを使用した ナノフォトニクスの研究で成果 (2008.08.27)
2008年7月の北米半導体製造装置、 受注額が2003年11月以来の低水準に (2008.08.22)
——SEMIの報告から
2008年第2四半期のシリコンウェーハ出荷量は 前年同期比4.6％増 (2008.08.13)
——SEMIの発表から
SEMATECH、EUVリソグラフィで 22nmの解像度を実現 (2008.08.13)
ST社とInfineon社ら、 次世代ウェーハレベルパッケージを共同開発 (2008.08.11)
2007年のファウンドリ市場は前年比1.8％増、 トップはTSMC社でシェア50％ (2008.07.29)
——IDCの報告から
Hynix社が米国の200mmウェーハ工場を閉鎖、 韓国/中国の200mm工場も閉鎖か (2008.07.28)
「半導体製造におけるアウトソーシングは必要不可欠」 ——Gartner社が報告 (2008.07.28)
2008年の半導体製造装置市場、台湾を抜いて日本が再びトップに (2008.07.16)
——SEMIがコンセンサス予測を発表
ON Semiconductor社、 アイルランドに研究開発センターを設立 (2008.07.16)
理化学研が有機モットFETの研究成果を発表、 電界効果移動度は従来の900倍超 (2008.06.30)
2010年までに太陽電池業界への投資額は 半導体業界と同等レベルに (2008.06.25)
——iSuppli社が予測
NECエレが45/40nmトランジスタの新技術を開発、 閾値電圧の制御にハフニウムを利用 (2008.06.23)
2008年第1四半期の半導体製造装置出荷額、 前期比7％増の105億6000万米ドル (2008.06.23)
——SEMIが報告
Samsung社とSiltronic社、 300mmウェーハ対応合弁工場の稼働を開始 (2008.06.23)
出光興産、「ナノテク棟」の新設で 電子材料分野の研究開発を強化 (2008.06.05)
TSMC、40nmプロセスに対応した リファレンスフロー9.0を発表 (2008.06.05)
Intel社とMicron社、34nmプロセスによる 32GビットNAND型フラッシュを開発 (2008.06.02)
半導体メーカーの設備投資は2008年が底、 回復は2009年から (2008.05.30)
——SEMIの予測より
林純薬と三洋半導体製造、アルミ防食性に優れた シリコンエッチング液を共同開発 (2008.05.29)
Intel社、「イスラエルに発電所を建設」との報道を否定 (2008.05.29)
北米半導体製造装置2008年4月のBBレシオ、 業界の慎重姿勢を反映して一時的に低下 (2008.05.28)
——SEMIの発表より
次世代リソグラフィ技術の有力候補は ダブルパターニングとEUV (2008.05.27)
——SEMATECH Litho Forumでの調査結果より
SRC、次世代NAND型フラッシュの開発に向け インド工科大学およびAMAT社と提携 (2008.05.22)
Intel社、Samsung社、TSMC社が、 2012年に450mmウェーハ導入で「合意」 (2008.05.08)
2008年第1四半期のシリコンウェーハ出荷は横ばい、 SEMIが発表 (2008.05.07)
知的財産侵害による半導体製造装置/材料業界の 損失は年間40億米ドル (2008.05.02)
——SEMIの調査結果から
IBM社ら、32nmの試作デバイスで良好な特性を確認 (2008.04.16)
産総研、ナノ電子デバイス研究センターを設立 (2008.04.04)
IBM社とChartered社、 バルクCMOSの共同開発を22nmまで拡大 (2008.04.03)
2007年の半導体材料市場は13.5％増、 SEMIが発表 (2008.04.01)
東京工業大学と富士通研究所らが FeRAMの大容量化に向けたメモリー材料を開発 (2008.03.28)
TSMC社、40nmプロセスの概要を発表 (2008.03.25)
ルネサス、中国・北京に マイコン組み立ての新棟を建設 (2008.03.25)
エルピーダメモリ、MEARS Technologies社の技術利用で同社と提携 (2008.03.25)
IBM社とRohm and Haas社、 32nm/22nmプロセスのCMP技術開発で提携 (2008.02.28)
IBM社、AMD社ら、EUVリソグラフィを チップ全体に適用したテスト品を発表 (2008.02.27)
Qimonda社、30nm世代のDRAMロードマップを発表 (2008.02.26)
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